V. Kagadei: шукати на сайті Z-Library

E. V. Erofeev, V. A. Kagadei

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 88 KB

english, 1998

Influence of annealing on the metal/semiconductor contacts deposited on sulfur-treatedn-GaAs surface

Журнал:

E. V. Erofeev, V. A. Kagadei

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 405 KB

english, 2011

Features of the formation of a low-resistance Ge/Au/Ni/Ti/Au ohmic contact ton-i-GaAs

Журнал:

Russian Microelectronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.32 MB

english, 2012

[IEEE 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON 2011) - Krasnoyarsk, Russia (2011.09.15-2011.09.16)] 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON) - A gold free fully Cu/Ge metalized GaAs pHEMT for the high frequency applications

Erofeev, E. V., Kagadei, V. A., Kazimirov, A. I.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 715 KB

english, 2011

SPIE Proceedings [SPIE International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009 - Zvenigorod, Russian Federation (Monday 5 October 2009)] International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009 - Low-resistance Ge/Au/Ni/Ti/Au-based ohmic contact to n-GaAs

Kagadei, V., Valiev, Kamil A., Orlikovsky, Alexander A., Erofeev, E.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.69 MB

english, 2009

One more deep level related to the metastable hydrogen-related defects in n-GaAs epilayers

O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei, J. Weber

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 236 KB

english, 2009

Annealing behavior of the system of metastable hydrogen-related defects M3/M4 in n-GaAs

O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, V.A. Kagadei, S.V. Romanenko

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 192 KB

english, 2003

Study of depth distribution of metastable hydrogen-related defects in n-type GaAs

O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, V.A. Kagadei, L.M. Romas

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 122 KB

english, 2001

Effect of atomic hydrogen on the properties of metal-GaAs Schottky barrier contacts

V. G. Bozhkov, V. A. Kagadei, N. A. Torkhov

Журнал:

E. V. Anishchenko, V. A. Kagadei, E. V. Nefedtsev, K. V. Oskomov, D. I. Proskurovski, S. V. Romanenko

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 431 KB

english, 1997

Residual-Photoresist Removal from Si and GaAs Surfaces by Atomic-Hydrogen Flow Treatment

Журнал:

Russian Microelectronics

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 165 KB

english, 2005

Influence of the Self-Heated Cathode Geometry on the Parameters of a Low-Pressure Discharge in CrossedE×HFields

L. A. Zyul’kova, A. V. Kozyrev, V. A. Kagadei, D. I. Proskurovskii

Журнал:

V. A. Kagadei, Yu. V. Lilenko, L. S. Shirokova, D. I. Proskurovskii

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2005

Suppression of parasitic backgating by hydrogenation of ion-doped gallium arsenide structures

Журнал:

V. A. Kagadei, Yu. V. Lilenko, L. S. Shirokova, D. I. Proskurovskii

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 31 KB

english, 1999

The effect of hydrogenation on the photoconductivity of ion-doped gallium arsenide structures

Журнал:

V. G. Bozhkov, V. A. Kagadei, D. I. Proskurovskii, L. M. Romas’

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 124 KB

english, 2000

A comparative study of the atomic hydrogen penetration into thin vanadium films and silicon oxide-gallium arsenide structures

Журнал:

V. A. Kagadei, A. V. Kozyrev, I. V. Osipov, D. I. Proskurovskii

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 45 KB

english, 2000

Current-voltage characteristics of a reflex discharge with a hollow cathode and self-heating electrode

Журнал:

Technical Physics

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 90 KB

english, 2001

The effect of hydrogenation on the sink breakdown voltage of transistors based on ion-doped gallium arsenide structures

V. A. Kagadei, E. V. Nefyodtsev, D. I. Proskurovsky, S. V. Romanenko, L. S. Shirokova

Журнал:

V. A. Kagadei, E. V. Nefyodtsev, D. I. Proskurovsky, S. V. Romanenko

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 48 KB

english, 2003

Atomic hydrogen flux density measured using thin metal films

Журнал:

E. V. Anishchenko, V. A. Kagadei, E. V. Nefedtsev, D. I. Proskurovskii, S. V. Romanenko

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 54 KB

english, 2003

Removal of fluoropolimers from the surface of silicon structures by treatment in an atomic hydrogen flow

Журнал:

V. A. Kagadei, E. V. Nefedtsev, D. I. Proskurovskii, S. V. Romanenko, V. V. Chupin

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 155 KB

english, 2005

A thin-film resistive sensor for measuring atomic hydrogen flux density

Журнал:

Instruments and Experimental Techniques

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 208 KB

english, 2008

Influence of silicon processing in atomic hydrogen on the formation of local molten regions as a result of pulsed irradiation with optical photons

M. V. Zakharov, V. A. Kagadei, T. N. L’vova, E. V. Nefedtsev, K. V. Oskomov, D. I. Proskurovsky, S. V. Romanenko, Ya. V. Fattakhov, I. B. Khaibullin

Журнал:

V. A. Kagadei, E. V. Nefyodtsev

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 2006

Numerical simulation of the process of hydrogenation of GaAs

Журнал:

V. A. Kagadei, E. V. Nefyodtsev

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 258 KB

english, 2009

Numerical simulation of hydrogenation of GaAs at the cooling stage

Журнал:

S. M. Avdeev, E. V. Erofeev, V. A. Kagadei

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 232 KB

english, 2010

Study of the influence of the sulfide and ultraviolet treatment of then-i-GaAs surface on the parameters of ohmic contacts

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 366 KB

english, 2011

Kinetics of Hydrogenation and Variations in Resistance of Vanadium Thin Films Treated in Atomic Hydrogen Flow

V. A. Kagadei, E. V. Nefyodtsev, D. I. Proskurovsky, S. V. Romanenko, N. A. Shevchenko, R. Groetzschel, D. Grambole, F. Herrmann, Yu. F. Ivanov

Журнал:

R. Gretchel, V. A. Kagadei, N. I. Lebedeva, D. I. Proskurovskii, E. B. Yankelevich

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 449 KB

english, 2003

”Reverse” annealing mechanism in ion-doped silicon layers subjected to electron beam heating

Журнал:

Arykov, Vadim S., Gavrilova, Anastasia M., Dedkova, Olga A., Kagadei, Valery A.

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 460 KB

english, 1989

Formation of a submicron GaAs MESFET gate using a four-layer dielectric dummy gate

V. S. Arykov, A. M. Gavrilova, O. A. Dedkova, V. A. Kagadei, Yu. V. Lilenko

Журнал:

Russian Microelectronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.43 MB

english, 2012

[IEEE 2011 12th International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2011) - Erlagol, Altai, Russia (2011.06.30-2011.07.4)] 2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings - Self-aligned multilayer dielectric “dummy gate” technology for GaAs HFET fabrication

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 210 KB

english, 2011

SPIE Proceedings [SPIE International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2012 - Zvenlgorod, Russian Federation (Monday 1 October 2012)] International Conference Micro- and Nano-Electronics 2012 - Copper germanium alloys formation by the low temperature atomic hydrogen treatment

Kazimirov, Artyom I., Erofeev, Evgeny V., Kagadei, Valery A., Orlikovsky, Alexander A.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 577 KB

english, 2013

[IEEE 2011 12th International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2011) - Erlagol, Altai, Russia (2011.06.30-2011.07.4)] 2011 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings - The formation of multilayer resist mask for transistor T-gates fabrication using electron-beam lithography

Anishchenko, Ekaterina V., Erofeev, Evgeny V., Ishutkin, Sergey V., Kagadei, Valery A., Nosaeva, Ksenia S.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 276 KB

english, 2011

Formation of Ta/Ti/Al/Mo/Au ohmic contacts to an AlGaN/AlN/GaN heterostructure grown on a silicon substrate

Osipov, K. Yu., Velikovskiy, L. E., Kagadei, V. A.

Журнал: